Transistor MOSFET BS170 en boîtier TO-92


Category: Transistors
Ces transistors à effet de champ à enrichissement à canal N ont été conçus pour minimiser la résistance à l'état passant tout en offrant des performances de commutation rapides, robustes et fiables. Ils peuvent être utilisés dans la plupart des applications nécessitant jusqu'à 500mA DC et sont particulièrement adaptés aux applications à basse tension et à faible courant telles que la commande de petits servomoteurs, les pilotes de grille de MOSFET de puissance et autres commutateurs...
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