12N10L FET Transistor RFP12N10
Category: Transistors
Transistors à effet de champ de puissance à grille en silicium, à canal N, à enrichissement, conçus pour des applications telles que les régulateurs à découpage, les convertisseurs à découpage, les pilotes de moteur, les pilotes de relais et les pilotes pour transistors de commutation bipolaires de forte puissance nécessitant une vitesse élevée et une faible puissance d'attaque de grille. Ces types peuvent être commandés directement à partir de circuits intégrés.
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