Transistor MOSFET BS170 in contenitore TO-92


Category: Transistor
Questi transistor a effetto di campo a modalità di arricchimento a canale N sono stati progettati per ridurre al minimo la resistenza in stato di conduzione, offrendo al contempo prestazioni di commutazione rapide, robuste e affidabili. Possono essere utilizzati nella maggior parte delle applicazioni che richiedono fino a 500mA DC e sono particolarmente adatti per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente come il controllo di piccoli servomotori, i driver di gate per MOSFET di potenza e altri interruttori...
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