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12N10L FET Transistor RFP12N10

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Category: Transistor

Transistor a effetto di campo di potenza a gate in silicio, a canale N, a arricchimento, progettati per applicazioni quali regolatori di commutazione, convertitori di commutazione, driver per motori, driver per relè e driver per transistor di commutazione bipolari ad alta potenza che richiedono alta velocità e bassa potenza di pilotaggio del gate. Questi tipi possono essere azionati direttamente da circuiti integrati.
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Customer Reviews (4.6 / 5 · 5 reviews)

Brian L. ★★★★★

My relay driver circuit has been running nonstop for three weeks now and these FETs haven't flinched once. The silicon gate design really does switch cleanly without any annoying oscillation. I've got five of them in parallel for a motor controller and they're staying cool.

Brian ★★★★★

I needed a reliable transistor for a switching converter repair, and this one handles the load without heating up too much. The N-Channel enhancement mode design made it straightforward to install and it’s been stable since day one.

Joshua E. ★★★★★

Replaced the older transistors in my relay driver circuit and the switching is noticeably cleaner now, no more heat buildup on the board. These N-channel FETs handle the motor load without a hiccup.

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