Transístor MOSFET BS170 em encapsulamento TO-92


Category: Transístores
Estes transístores de efeito de campo de modo de enriquecimento de canal N foram concebidos para minimizar a resistência no estado ligado, proporcionando simultaneamente um desempenho de comutação rápido, robusto e fiável. Podem ser utilizados na maioria das aplicações que exijam até 500mA DC e são particularmente adequados para aplicações de baixa tensão e baixa corrente, como o controlo de pequenos servomotores, drivers de porta de MOSFET de potência e outros interruptores...
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