Transistor MOSFET BS170 en encapsulado TO-92


Category: Transistores
Estos transistores de efecto de campo de modo de enriquecimiento de canal N se han diseñado para minimizar la resistencia en estado activo y, al mismo tiempo, ofrecer un rendimiento de conmutación rápido, robusto y fiable. Se pueden utilizar en la mayoría de las aplicaciones que requieran hasta 500mA DC y son especialmente adecuados para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de pequeños servomotores, controladores de puerta de MOSFET de potencia y otros interruptores...
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