BS170 MOSFET-Transistor im TO-92-Gehäuse


Category: Transistoren
Diese N-Kanal-Enhancement-Mode-Feldeffekttransistoren wurden entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung zu bieten. Sie können in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 500mA DC erfordern, und eignen sich besonders für Niederspannungs- und Niedrigstromanwendungen wie die Steuerung kleiner Servomotoren, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schalt...
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